МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ
ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ
(технический университет)
Кафедра Электроники и электротехники
Доклад
Тема: “ Усилительные каскады в области высших частот”
Студент:
Андриатис Ю.А.
группа АП-52
Преподаватель:
Ушаков В.Н.
МОСКВА 1999
Усилительный каскад на биполярном транзисторе.
EK
R1 RK
РИС 1. ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА
УСИЛИТЕЛЬНОГО RC —
КАСКАДА
Cк НА БИПОЛЯРНОМ
ТРАНЗИСТОРЕ
ВЫХОД
IBX
C
RH Uвых
ВХОД CЭ
R2 RЭ
IBЫX
Рассматривая работу RC-каскада в области высоких частот мы можем принебречь
влиянием емкости Ск, так как с возрастанием частоты входного сигнала
сопротивление емкости Ск становится малым по сравнению с сопротивлением Rн.
Пренебрегать емкостью С(суммарная паразитная емкость каскада) в области
высоких частот нельзя.
РИС 2. УПРОЩЕННАЯ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА
УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА
НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ
В ОБЛАСТИ ВЫСШИХ ЧАСТОТ
Iб
IBЫX
rвх R k C
RH Uвых
h21эIб
Из схемы находим:
Zk = (Rk || Rн)|| 1 = (Rk || Rн) * (1 / j(вС) =
(j(вС) (Rk || Rн) + (1 / j(вС)
= (Rk || Rн) = (Rk || Rн)
1 + j(вС(Rk || Rн) 1 + j(в(в
где (в = С(Rk || Rн) — постоянная времени нагрузочной цепи
(Rk || Rн)
U2 = h21эIб Zk = h21эIб 1 + j(в(в U1 = Iб rвх
U2 (Ku)0
(Ku)в = =
U1 1 + j(в(в
На высших частотах происходит не только усиление сигнала но и
появляется дополнительный фазовый сдвиг выходного сигнала относительно
входного поэтому это выражение разбивается на два:
1
(Ku)в =
? 1 + ((в(в)2
tg ?в = – (в(в
В области высших частот характеристика будет иметь завал:
Kв ?в
K0 (1 (2
f(()
f(()
(2 > (1
Равномерность частотной характеристики зависит от С. Чем меньше С тем
характеристика лучше (более равномерна).
Вообще избавиться от паразитной емкости – С невозможно. Ее можно только
уменьшить за счет рационального конструирования.
Кроме того на значение паразитной емкости влияет входная емкость следующего
каскада и для ее уменьшения надо подключать к каскаду электронные
устройства с минимальной входной емкостью.Например: эмиттерный повторитель.